Bruckewell’s „MOSFET New Products Introduction“ Dokument nun verfügbar. Es enthält das aktuelle LV MOSFET Selection Guide, neue Produkte sowie Empfehlungen.
Das Product Selection Guide gibt eine Übersicht der verfügbaren LV MOSFETs für Drain Source Spannungen zwischen 20V und 200V der N-Kanal Typen und -20V bis -100V bei P-Kanal Typen.
Es wird zusätzlich auf 7 neue Dual-MOSFETs genauer eingegangen. Hier sind Dual-N, NP wie Dual-P Typen zwischen 30V und 60V verfügbar.
Im dritten Abschnitt werden zwei 40V N-Kanal Typen mit niedrigen RDSON vorgestellt, der NSH40H018 bietet 1.8mOhm @ 10V = VGS und ID = 82A (TC= 100°C) im DFN 5×6 Gehäuse, der NSH40N01 sogar 1.0mOhm @ 10V = VGS und ID = 140A (TC= 100°C) im selben Gehäusetyp.
Abschließend werden verschiedene Produktempfehlungen ausgesprochen. Diese Produkte sind als Industrial & Automotive Grade verfügbar.
Die Bruckewell Technology LTD ist ein taiwanesisches Unternehmen und wurde 2007 gegründet. Es hat sich spezialisiert auf die Entwicklung von Leistungs-Discrets. Das Portfolio erstreckt sich von Dioden, für die unterschiedlichsten Anwendungszwecke, über Bi-Polar Transistoren bis hin zu den MOSFETs. Si- wie SiC-Technologie wird bei Bruckewell für die Entwicklungen eingesetzt. Neben gehausten Bauelementen werden auch Wafer / KGD als Lieferform angeboten.
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