Bruckewell, unser Partner für diskrete Leistungs-Halbleiter, hat kürzlich das umfassende Power-Portfolio um den SiC MOSFET CMS120N080 erweitert. Die ersten Derivate sind 1200V Versionen im TO-247-3, TO-247-4 Gehäuse. Neu hinzugekommen die TO-263-7 Variante.
Die Bauteile zeichnen sich durch überzeugende und wettbewerbsfähige Spezifikationen aus, hier seien nur ein paar wichtige Parameter genannt:
RDSON:
Betriebs- und Lagertemperatur:
Drain Strom (ID):
Verlustleistung (Ptot):
Total Gate Charge (QG):
Ausgangskapazität (COSS):
Reverse Recovery Charge (Qrr):
Gehäusetypen:
77mOhm typ. @ (25°C, ID=20A)
-55°C bis 175°C
34A @ 25°C
188W @ 25°C
58 nC typ.
62pF typ.
124nC typ.
TO-247-3 (W), TO-247-4 (WK), TO-263-7 (B)
Durch die sehr schnellen Ein- und Ausschaltzeiten eignen sich diese MOSFETs für moderne Designs für Stromversorgungen, Batterie-Lade-Systeme oder überall dort in der Leistungs-Elektronik wo die Verlustleistung minimiert werden soll und platzsparende Designs umzusetzen.
Neben diesen SiC MOSFTs bietet Bruckewell bereits eine Familie SiC basierter Schottky Dioden an. Einen Überblick gibt Ihnen unser zugehöriger Beitrag.
Sie interessieren sich für die hier erwähnten wie weitere diskrete Leistungs-Halbleiter? Sprechen Sie uns an wir beraten Sie gern bei der Auswahl für Ihr nächstes Design oder senden Sie uns Ihre anfrage mit folgendem Formular