Magnachip – 650V SJ-MOSFETs: PDFN88 & geringerer RDSON: SJ-MOSFETs sind eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen mit hohen Spannungen, da ihr Driftbereich im Vergleich zu planaren MOSFETs stark dotiert ist. Dies ermöglicht einen niedrigen Durchgangswiderstand und eine reduzierte Gate-Ladung beim Betrieb mit hohen Spannungen.
Magnachip bietet verschiedene Super-Junction-MOSFETs mit Spannungswerten von 500 bis 900 V (Drain-Source-Spannung) in verschiedenen Baugrößen an.
Besonders erwähnenswert ist, dass Magnachip jüngst zwei neue 650V SJ-MOSFETs in PFDN88-Gehäusen auf den Markt gebracht hat, mit optimiertem RDSON um noch höhere Wirkungsgrade zu ermöglichen, Schaltverluste zu minimieren und elektromagnetische Störungen (EMI) reduzieren. Dies führt zu einer Größenreduzierung von 81 % im Vergleich zu D2PAK- und 63 % im Vergleich zu DPAK-Produkten, wodurch die Grundfläche deutlich verringert wird.
Um die SJ-MOSFETs genauer zu betrachten, zögern Sie nicht, einen Blick in ihre Datenblätter zu werfen.
Ihre Vorteile wie geringer Widerstand, minimale Schaltverluste und kompakte Größe machen beide SJ MOSFETs zu einer effizienten Lösung für Ihre Anwendungen im Hochvolt-Bereich. Hier sind einige Fälle, in denen beide SJ-MOSFETs sehr gut geeignet sind:
Magnachip verfügt über mehr als 40 Jahre Erfahrung im Angebot innovativer Technologielösungen in verschiedenen Bereichen, darunter Kommunikation, IoT, Unterhaltungselektronik, Computer, Industrie und Automotive. Neben ihren OLED-Lösungen finden Sie hier eine Vielzahl von Produkten für Ihre Stromversorgungs-Anwendungen, wie verschiedene Arten von MOSFETs und Stromwandlern. Es lohnt sich, einen Blick darauf zu werfen!
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