Logic-Level MOSFETs, die bei typischen Mikrocontroller-Ausgangsspannungen von 2 V bis 5 V bereits durchschalten, werden in vielen Schaltungen eingesetzt.
Bruckewell bietet eine Reihe dieser MOSFETs als N-Channel, P-Channel sowie kombinierte N/P Versionen an. Bruckewell punktet außerdem mit einer aktuell kurzen Lieferzeit von ca. 8-12 Wochen.
Diese Art von MOSFETs finden breite Anwendung in verschiedensten Applikationen. Oft geht es darum, auf einen externen MOSFET Treiber zu verzichten und die Transistoren z.B. direkt von einem I/O Pin eines Mikrocontrollers durchzuschalten.
Batteriebetriebene Geräte, die aus nur einer Sekundärzelle betrieben werden, sind für Betriebsspannungen zwischen 4,2 V bis 2,7V ausgelegt (z.B. Li-Po Zelle). Daher ist es notwendig, dass direkt an den Mikrocontroller angeschlossene MOSFETs bereits bei vergleichsweise niedrigen Gate-Source-Spannungen öffnen.
Auch bei der Realisierung von Ansteuerungen für kleine Motoren mittels Voll- oder Halbbrücken besteht diese Anforderung, um auf externe MOSFET Treiber ICs verzichten zu können.
Bruckewell hat in diesem Bereich eine Reihe von MOSFETs entwickelt. Die Derivate dieser Familie eignen sich für Anwendungen mit Drain-Source-Spannungen von 20V/30V (N-Channel) bzw. -20/-30V (P-Channel). Für diesen Spannungsbereich sind typische Gehäusetypen wie SOT-23, DFN3x3 oder SOP-8 (für höhere Drain-Ströme) verfügbar.
Der MS23N06A (30V, N-Channel, 4.9A ID@70°C) soll als Beispiel dienen. Die Gate-Threshold Spannung zwischen 0.5 V(min) und 1.2 V(max) ist die Voraussetzung für die hier geforderten weiteren Eigenschaften. Die folgenden Diagramme zeigen für die Logic-Level MOSFETs typischen Verläufe:
Bruckewell bietet aktuell 12 Typen an – weitere befinden sich in der Entwicklung. Folgende Tabelle gibt hierzu einen Überblick
|
Product |
Channel Polarity |
Config. |
V(BR)DSS Min (V) |
VGS(th) Max (V) |
IDmax (A) @ TC=25°C |
PDmax (W) @ TA=25°C |
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) |
Package Type |
Datasheet |
|
MS20N06S |
N |
Single |
20 |
1 |
6 |
1 |
35 |
26 |
SOT-23 |
|
|
MS23N02 |
N |
Single |
20 |
1,2 |
3,6 |
1 |
75 |
55 |
SOT-23 |
|
|
MS23N06A |
N |
Single |
30 |
1,2 |
5,8 |
1 |
50 |
35 |
SOT-23 |
|
|
MS23P01 |
P |
Single |
-20 |
-1 |
-2.6 |
1,4 |
135 |
100 |
SOT-23 |
|
|
MS23P03 |
P |
Single |
-30 |
-1,2 |
-3.2 |
1,38 |
150 |
80 |
SOT-23 |
|
|
MS23P05 |
P |
Single |
-20 |
-1,2 |
-3.1 |
1 |
100 |
65 |
SOT-23 |
|
|
MS23P09 |
P |
Single |
-20 |
-1 |
-5.8 |
1,56 |
45 |
33 |
SOT-23 |
|
|
MS34N00 |
N |
Single |
30 |
1,5 |
5,8 |
1 |
45 |
30 |
SOT-23 |
|
|
MS34P01 |
P |
Single |
-30 |
-1,3 |
-4.2 |
1,2 |
130 |
75 |
SOT-23 |
|
|
MSHM20P40 |
P |
Single |
-20 |
-1 |
-40 |
2 |
11 |
8 |
DFN 3×3 |
|
|
MST26P21D |
P |
Dual |
-20 |
-1 |
-2.5 |
1,25 |
130 |
90 |
SOT-26 |
|
|
MST66C04D |
N & P |
Dual |
20 / -20 |
1,2 / -1,2 |
N: 3,6 / P: -3,0 |
1,1 |
N:55 / P:120 |
N: 48 / P: 80 |
SOT-26 |
Der MST66C04D eignet sich für kompakte Voll- oder Halbbrückenansteuerung kleiner Motoren. Für neue Typen wie den MS23N00 ist eine AEC-Q101 Qualifizierung verfügbar.
Bruckewell erweitert das Portfolio weiter. Aktuell ist z.B. ein weiteren N-Kanal MOSFETs als 20V Typ mit einem max. RDS(on)=7.2mOhm bei VGS=2.5V und ID=9A(@25°C) im SOP-8 Gehäuse in Vorbereitung.
2007 gegründet, hat Bruckewell die Entwicklung von Dioden, Bipolar-Transistoren und MOSFETs sowie LED-Treiber laufend vorangetrieben.
Neben Produkten in klassischer Si-Technologie sind mit SiC Dioden (bald auch SiC-MOSFETs) Produkte der neusten Technologiegeneration in gängigen Gehäusetypen sowie als KGD bzw. Wafer verfügbar.
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