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Qorvo – 1200V SiC Power-Module im E1B Package für platzsparende Designs

1200V SiC Power-Module by Qorvo1200V SiC Power-Module – Qorvo erweitert sein hauseigenes SiC Portfolio! Diese Module im E1B Package integrieren bis zu 4 SiC FETs in Brückenschaltung.

Die SiC FETs von Qorvo basieren auf einem SiC JFET und einem Si MOSFET in Kaskoden-Schaltung. Ausführliche Informationen zu diesem innovativen Ansatz finden Sie hier.


1200V SiC Power-Module von Qorvo

1200V SiC Power-Module by Qorvo

Im kompakten E1B Formfaktor von lediglich 33,8mm x 48mm x 12mm (ohne Befestigungsösen) integriert Qorvo die vier bzw. zwei SiC-FETs in die Voll/Halb-Brücken Module. Die zugrundeliegende SiC Kaskoden FETs zeichnen sich durch sehr geringe RDSON Werte, sowie sehr geringe Gate Ladungen aus. Durch den integrierten Si-MOSFET am Gate vereinfacht sich die Ansteuerung entscheidend (VG(th)= 5V typ, 0…15V allowed drive range).

Diese Vorteile zeigen sich beim Halb-Brücken Module UHB100SC12E1BC3N durch den sehr geringen RDSON von nur 9.4mOhm typisch.

Ein weiterer wichtiger Faktor bei der Modul-Technologie ist die Wärmeableitung. Die FETs sind thermisch mit einer Silber-Sinter-Technologie angebundenen. So wird ein thermischer Widerstand von nur 0,23°C/W realisiert. Ausserdem kombiniert Qorvo dies mit einer besonderen „stacked die“-Technologie. Der Hersteller erreicht damit eine um den Faktor 2 verbesserte Leistung beim Power Cycling im Vergleich zu anderen SiC Power Modulen auf den Markt.

Die Module sind bis zu einem Betrieb von maximal 150°C TJ ausgelegt. Das UHB100SC12E1BC3N liefert bis zu 100A dauerhaften Drain Strom (TC <85°C) und bietet damit die höchste Stromtragfähigkeit der Familie:

 

Part # Description RDS(on) @25C (mΩ)
UFB15C12E1BC3N 1200V, 15A SiC full-bridge module 70
UFB25SC12E1BC3N 1200V, 25A SiC full-bridge module 35
UHB50SC12E1BC3N 1200V, 50A SiC half-bridge module 19
UHB100SC12E1BC3N 1200V, 100A SiC half-bridge module 9.4

Qorvo SiC Ecosystem

Als Designunterstützung bietet Qorvo eine ganze Reihe an Tools, Application-Notes und weitere Whitepaper an.

Für den erfolgreichen Schaltungsentwurf mit Qorvo’s SiC Produkten ist der FET-Jet Calculator der perfekte Startpunkt. Mittlerweile können Entwickler darüber hinaus auf das exklusiv für Qorvo entwickelte QSPICE zurückgreifen. Dieses Tool ist vom SPICE Erfinder Mike Engelhardt entwickelt worden und ist kostenlos nutzbar. Ausführliche Informationen zu den Vorteilen finden Sie in diesem Artikel. Zur Download-Seite geht es hier.


Anwendungen für Qorvo 1200V SiC Power-Module

Alle Anwendungen, die von effizienten und schnellen Schaltern für moderne Stromversorgungen profitieren, werden von dieser neuen Modul-Serie adressiert. Sei es für das Laden von Elektroautos, Energiespeichersysteme, robuste industrielle Stromversorgungen oder Photovoltaik-Anwendungen – überall kommen die oben genannten Vorteile zum Tragen.

Gern berät Sie unser Team zu den SiC Produkten von Qorvo und weiteren Komponenten für innovative Entwicklungen im Bereich der Stromversorgungen: SiC FETs, SJ-MOSFETs, MOSFET-Treiber, Power Induktivitäten & Übertrager, AC/DC Controller und vieles mehr.

Sprechen Sie uns jetzt an. Gern vereinbaren wir mit Ihnen einen persönlichen Termin zum Austauch und Beratung für Ihre Anwendung – gern auch gemeinsam mit dem Hersteller Qorvo:

    Bitte kontaktieren Sie mich zu oben genannten Thema per

    Ich bin interessiert an:

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